核辐射探测器研发设施主要用于硅平面工艺探测器、高纯锗、化合物半导体探测器等先进半导体探测器的研究和制备。其主要工艺设备包括光刻机，低压化学气相沉积、氧化扩散、磁控溅射、清洗腐蚀等设备，以及环境试验和电离辐射试验设备设施。目前，依托核辐射探测器研发设施，国家重点研发计划项目全自动高纯锗能谱仪的研制开展了高纯锗探测器锂蒸发扩散、表面处理工艺等实验研究;中子探测项目完成了高温电离室温度冲击、振动等环境试验和中子响应测试等试验。

半导体探测器工艺线是核辐射探测器研发设施最主要的工艺线之一，经过多次调试及试验，该工艺线于2019年投入运行，并围绕重点科研工作逐步开展了半导体探测器清洗腐蚀、光刻、镀膜、片上薄膜质量和电学性能测试、划片封装等工艺研究，以及整机线性温度冲击实验、振动等环境实验。由于半导体探测器在国民经济建设、核物理实验以及辐射环境测量等方面具有广泛用途，随着核辐射探测器研发设施投入运行，将使我国具备高纯锗、硅平面工艺探测器等先进半导体探测器批量化的制造能力，从而为核工业持续发展奠定坚实基础。